1. 性能

1.1. 分辨本领

二次电子像分辨率：

0.8nm @  15 kV 
1.6 nm @  1kV 

调整范围：20 V～30 kV

调整步长：每档10 V连续可调

1.2. 探针电流：

4 pA～20 nA 

稳定性: 优于 0.2%/h

1.3. 放大倍率：

范围: 12×～1000,000×

2. 样品室

2.1. 样品室尺寸：330 mm内径，270 mm高

2.2. 最大样品尺寸：不小于 200mm（直径）

2.3. 样品置换时间（抽真空时间）：不大于 5分钟

2.4. 附件接口：

在样品室上提供不少于六个附件接口，可同时接X射线能谱、背散射电子探测器等。

2.5. 样品台

类型：5轴马达驱动

装配方式：抽屉式拉门。

控制：双操纵杆控制盒

移动范围:  X = 130 mm
Y = 130 mm
Z =   50 mm
T = -3o - 70o
R = 360o 连续

3. 探测器

镜筒内（In-lens）二次电子探测器

样品室二次电子探测器

背散射电子探测器 CCD 摄像机

4X射线能谱仪

11.1、探测器制冷方式：电制冷型。

11.2、探测器：硅漂移探头。

11.3、有效探测面积：不少于50 mm2。

11.4、100,000cps时的能量辨率：

Mn Ka：≤127eV

F  Ka：≤66eV

C  Ka：≤56eV

其 它：≤133eV

11.5、元素探测范围：BE（4）~U（92）

11.6、最大输入计数：>3,000,000cps

11.7、最在输出计数：>1,100,000cps

12.EBSD背散射电子衍射分析仪

12.1该设备为扫描电镜附属设备，与能谱仪形成一体化系统，用于材料的物相和结构组合分析。

12.2高解析率（640×480像素）数字相机，在识别率优于99%条件下每秒采集并解析870点以上； 可以实现动态原位分析。

12.3加速电压3KV，束流小于100pA时可采集到花样

12.4空间分辨率：0.05um。

12.5角度分辨率优于0.1度，且有具备角度单位的绝对误差表征办法。

12.6晶体学数据库，含ICSD数据库，并且已经滤掉伪对称数据。

12.7能谱仪和EBSD一体化采集、分析，64位最新软件，图像清晰度不低于4096*4096，可以自动和手动进行背景扣除等设定。

12.8全套操作软件包括取向成图、极图与反极图等完整功能。